IKW40N65F5 – IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 40 A, 255 W, TO-247-3

IKW40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-5 FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich