IKW15T120 – IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 110W, TO-247

IKW15T1201200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie mit weicher und schneller Rückgewinnung antiparalleler, emittergesteuerter HE-DiodeMerkmale und Vorteile:• Ca. 1,0V reduzierte VCE(sat) und 0,5V reduzierte VF im Vergleich zu BUP313D• Kurzschlussfestigkeit – 10µs• Entwickelt für :- Frequenzwandler- Unterbrechungsfreie Stromversorgung• TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie für 1200-V-Anwendungen bietet :- sehr enge Parameterverteilung- hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten• NPT-Technologie bietet einfache Parallelschaltfähigkeit durch positiven Temperaturkoeffizienten in VCE(sat)• Niedrige EMI• Niedrige Gate-Abgabe• Sehr weiche, schnell wiederherstellende antiparallele Emitter-gesteuerte HE-Diode• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/