IDW12G65C5 – SiC-Schottkydiode, 650V, 12A, TO247

5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial – Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung