IDH04SG60C – SiC-Schottkydiode, 600V, 4A, TO220AC

thinQ!tm SiC Schottky Diode der dritten GenerationMerkmale• revolutionäres Halbleitermaterial – Siliziumkarbid• herausragendes Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 20mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebthinQ! 3G Diode, entwickelt für schnelle Schaltanwendungen wie:• SMPS z.B.; CCM PFC• Motorantriebe; Solaranwendungen; USV