GD75HFY120C1S – IGBT-Array-Modul, Halbbrücke, 1200 V, 75 A, C1.0-Gehäuse

Trench IGBT-Array-Modul, Halbbrücke, 1200 V, 75 A, C1.0-GehäuseAllgemeine Beschreibung:Das STARPOWER IGBT-Leistungsmodul bietet einen extrem niedrigen Leitungsverlust sowie eine hohe Kurzschlussfestigkeit. Sie sind für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV ausgelegt.Merkmale:• Niedrig-Vce(sat)-Trench-IGBT-Technologie• 10µs Kurzschlussfähigkeit• Vce(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten• Maximale Sperrschichttemperatur 175°C• Gehäuse mit niedriger Induktivität• Schnelle & weiche Reverse-Recovery antiparallele FWD• Isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-TechnologieTypische Anwendungen:• Umrichter für Motorantrieb• AC- und DC-Servoantriebsverstärker• Unterbrechungsfreie Stromversorgung