100V NPN-HOCHLEISTUNGSTRANSISTOR IN SOT223Merkmale:• BVCEO > 100V• IC = 3A hoher Dauerstrom• ICM = 6A Spitzen-Impulsstrom• Niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) < 300mV @ -1A• Komplementärer PNP-Typ: FZT753• Bleifreie Ausführung; RoHS-konform (Hinweise 1 & 2)• Halogen- und antimonfrei. ''Grünes'' Gerät (Hinweis 3)• Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe Zuverlässigkeit• PPAP-fähig (Hinweis 4)Mechanische Daten:• Gehäuse: SOT223• Gehäusematerial: gegossener Kunststoff. ''Grüne'' Formmasse.• UL-Entflammbarkeitsklasse 94V-0• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 nach J-STD-020• Anschlussklemmen: Oberfläche - matt verzinnte Litzen, lötbar nach MIL-STD-202, Methode 208• Gewicht: 0,112 Gramm (annähernd)
FZT 653 ZET – Bipolartransistor, NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223
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