FM25640B-G – FRAM, 64 Kb (8 K x 8), 4,5 … 5,5 V, SO-8

Ferroelektrisches nichtflüchtiges RAMMerkmale• Direkter Hardware-Ersatz für serielle SPI-EEPROMs oder SPI-Flash• Beschreiben bei Standard-Versorgungsspannung• bis zu 500-fache Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zu typ. EEPROMs• 100 Billionen (1014) Schreib-/Lesezyklen• 38 Jahre Daten-Erhalt (bei +75°C)• Hardware Protection• Software Protection• Low Power Operation: 250µA Active Current (1 MHz)