FDV 303N – MOSFET, N-Kanal, 25 V, 0,68 A, Rdson 0,33 Ohm, SOT-23

Digitaler FET, N-KanalBeschreibungDiese N-Kanal-Feldeffekttransistoren im Anreicherungsmodus werden mit der firmeneigenen DMOS-Technologie von ON Semiconductor mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist so ausgelegt, dass der Widerstand im eingeschalteten Zustand bei niedrigen Gate-Treiberbedingungen minimiert wird. Dieses Bauelement ist speziell für die Anwendung in Batterieschaltungen mit entweder einer Lithium- oder drei Cadmium- oder NMH-Zellen ausgelegt. Er kann als Wechselrichter oder für die hocheffiziente diskrete Miniatur-DC/DC-Wandlung in kompakten tragbaren elektronischen Geräten wie Mobiltelefonen und Pagern verwendet werden. Dieser Baustein hat einen ausgezeichneten Widerstand im eingeschalteten Zustand, selbst bei Gate-Treiberspannungen von nur 2,5 V.Merkmale:• 25 V, 0,68 A kontinuierlich, 2 A Spitze- RDS(ON) = 0,45 Ohm @ VGS = 4,5 V- RDS(ON) = 0,6 Ohm @ VGS= 2,7 V• Sehr niedrige Anforderungen an den Gateantrieb, die einen direkten Betrieb ermöglichen in 3-V-Schaltkreisen, VGS(th) < 1 V• Gate-Source Zener für BNE-Robustheit, > 6 kV Menschlicher KörperModell• Kompaktes Industriestandard SOT-23-Gehäuse zur Oberflächenmontage• Dieses Gerät ist Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform