BESCHREIBUNGDie 16k nichtflüchtigen SRAMs DS1220AB und DS1220AD sind 16.384-Bit, vollstatische, nichtflüchtige SRAMs, organisiert als 2048 Wörter x 8 Bit. Jedes NV SRAM verfügt über eine in sich geschlossene Lithium-Energiequelle und eine Steuerschaltung, die VCC ständig auf eine außerhalb der Toleranz liegende Beeinträchtigung überwacht. Im Bedarfsfall wird die Lithium-Energiequelle automatisch eingeschaltet und der Schreibschutz unbedingt aktiviert, um Datenverluste zu vermeiden. Die NV-SRAMs können anstelle von bestehenden 2k x 8 SRAMs verwendet werden, die direkt dem beliebten byteweiten 24-Pin-DIP-Standard entsprechen. Die Pinnings entsprechen auch der Belegung des 2716 EPROM und des 2816 EEPROMs, was eine direkte Substitution bei gleichzeitiger Leistungssteigerung ermöglicht. Es gibt keine Begrenzung der Anzahl der ausführbaren Schreibzyklen und es ist keine zusätzliche Trägerschaltung für die Mikroprozessor-Schnittstellen erforderlich.FEATURESMindestens 10 Jahre Datenspeicherung ohne externe StromversorgungDaten werden bei Stromausfall automatisch geschützt.Ersetzt direkt 2k x 8 flüchtige statische RAMs oder EEPROMs.Unbegrenzte SchreibzyklenNiedrigleistungs-CMOSJEDEC Standard 24-Pin DIP GehäuseLese- und Schreibzugriffszeiten von 100 nsDie Lithium-Energiequelle wird elektrisch abgeschaltet, um die Frische bis zum ersten Einschalten der Stromversorgung zu erhalten.Voller ±10% VCC-Arbeitsbereich (DS1220AD)Optional ±5% VCC-Arbeitsbereich (DS1220AB)Optionaler industrieller Temperaturbereich von-40°C bis +85°C,
DS 1220 AD-150 – Nichtflüchtiger SRAM, 16Kb, EDIL-24
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