N-KANAL-VERBESSERUNGSMODUS MOSFETMerkmale:• Niedriger On-Widerstand• Low-Gate-Schwellenwertspannung• Niedrige Eingangskapazität• Schnelle Schaltgeschwindigkeit• Niedrige Eingangs-/Ausgangsleckage• ESD-geschützt bis zu 2kV• Völlig bleifrei & vollständig RoHS-konform (Anmerkungen 1 & 2)• Halogen- und antimonfrei. “Grüne“ Vorrichtung (Anmerkung 3)Mechanische Daten• Bauform: SOT323• Fallmaterial: Gegossener Kunststoff, “grüne“ Formmasse. UL-Entflammbarkeitsklassifizierung 94V-0• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 pro J-STD-020• Terminals: Finish ? Matt-Zinn geglüht über Alloy 42 Leadframe. Lötbar nach MIL-STD-202, Methode 208• Gewicht: 0,006 Gramm (annähernd)
DMG 1012UW7 DII – MOSFET, N-Kanal, 20V, 1A, RDS(ON) 0,3 Ohm, SOT-323
0,08 €
- Lieferzeit: 1-2 Werktage
- ab Lager