DG75X07T2L – IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 90 A, 428 W, TO-247

DG75X07T2L, 650 V IGBT with DiodeAllgemeine BeschreibungDOSEMI IGBT Power Discrete bietet einen extrem niedrigen Leitungsverlust sowie einen niedrigen Schaltverlust. Sie wurden für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV entwickelt.Merkmale• Niedrige V CE(sat) Schnelle IGBT-Technologie• Geringer Schaltverlust• Maximale Sperrschichttemperatur 175 o C• V CE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten• Schnelle & sanfte Rückwärtserholung anti parallel FWD• Bleifreies GehäuseTypische Anwendungen• Wechselrichter für Motorantrieb• AC- und DC-Servoantriebsverstärker• Unterbrechungsfreie Stromversorgung