CY7C1041GN30-10Z – High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 3,3 V, 10ns, TSOP-44

Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 256kx16 10ns TSOP44(II)Funktionale BeschreibungCY7C1041GN ist ein schnelles statisches CMOS-Hochleistungs-RAM, das als 256K-Wörter mit 16 Bit organisiert ist. Das Schreiben von Daten erfolgt durch die Aktivierung der Chip Enable (CE)- und Write Enable (WE)-Eingänge LOW, während die Daten auf den Pins I/O0 bis I/O15 und die Adresse auf den Pins A0 bis A17 bereitgestellt werden. Die Eingänge Byte High Enable (BHE) und Byte Low Enable (BLE) steuern Schreiboperationen in die oberen und unteren Bytes der angegebenen Speicherstelle. BHE steuert I/O8 bis I/O15 und BLE steuert I/O0 bis I/O7. Daten werden gelesen, indem die Eingänge Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) auf LOW gesetzt werden und die erforderliche Adresse auf den Adressleitungen bereitgestellt wird. Auf die gelesenen Daten kann über die E/A-Leitungen (I/O0 bis I/O15) zugegriffen werden. Byte-Zugriffe können durchgeführt werden, indem das erforderliche Byte-Freigabesignal (BHE oder BLE) aktiviert wird, um entweder das obere oder das untere Byte der Daten von der angegebenen Adressposition zu lesen. Alle E/As (I/O0 bis I/O15) werden während der folgenden Ereignisse in einen hochohmigen Zustand versetzt:• Das Gerät wird abgewählt (CE HIGH)• Die Steuersignale (OE, BLE, BHE) werden deaktiviert.Merkmale• Hohe Geschwindigkeit: taa = 10 ns • Niedrige Wirk- und Ruheströme – Wirkstrom: Icc = 38-mA typisch – Standby-Strom: Isb2 = 6-mA typisch• Betriebsspannungsbereich: 2,2 V bis 3,6 V• 1.0-V-Datenspeicherung• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Pb-freie 44-polige SOJ, 44-polige TSOP II