CY7C1021DV33-10V – High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 3,3 V, 10ns, SOJ-44

Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 64kx16 10ns SOJ-44Funktionale BeschreibungDer CY7C1021DV33 ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 65.536 Wörter mit 16 Bit organisiert ist. Dieser Baustein verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die bei Abwahl den Stromverbrauch erheblich reduziert. Das Schreiben in den Baustein erfolgt, indem die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) auf LOW gesetzt werden. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O8 bis I/O15) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Das Lesen aus dem Baustein erfolgt, indem Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW genommen werden, während Write Enable (WE) HIGH erzwungen wird. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, erscheinen Daten von der durch die Adresspins angegebenen Speicherstelle auf I/O0 bis I/O7. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, erscheinen Daten aus dem Speicher an I/O8 bis I/O15. Eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi finden Sie in der Wahrheitstabelle am Ende dieses Datenblatts. Die Eingangs-/Ausgangspins (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn das Gerät abgewählt wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH), BHE und BLE deaktiviert werden (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW, und WE LOW).Der CY7C1021DV33 ist in Pb-freien, 44-poligen, 400 Millimeter breiten, vergossenen SOJ-, 44-poligen TSOP II- und 48-Kugel-VFBGA-Gehäusen erhältlich.Merkmale• Temperaturbereiche – Industriell: -40 °C bis 85 °C – Automobil-A: -40 °C bis 85 °C• Pin- und funktionskompatibel mit CY7C1021CV33• Hohe Geschwindigkeit: taa = 10 ns• Niedrige Wirkleistung: Icc = 60 mA @ 10 ns• Geringe CMOS-Standby-Leistung: Isb2 = 3 mA• 2.0 V Datenspeicherung• Automatische Abschaltung bei Abwahl• CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung• Unabhängige Kontrolle der oberen und unteren Bits• Bleifrei erhältlich in 44-poligem 400 Mil breit gepresstem SOJ, 44-poligem TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse