4-Mbit (512 K × 8) Static RAM, SRAM, 5V 512kx8 45ns TSOP32(II)Beschreibung:Der CY62148E ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 512 K-Worte mit 8 Bits organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen Standby-Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch um mehr als 99%, wenn es abgewählt wird (CE HIGH). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt (CE HIGH), Ausgänge deaktiviert (OE HIGH) oder während eines aktiven Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Um auf das Gerät zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A18) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62148E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale:• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Pin kompatibel mit CY62148B• Extrem niedrige Standby-Leistung – Typischer Bereitschaftsstrom: 1 µA – Maximaler Standby-Strom: 7 µA (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung – Typischer Wirkstrom: 2,0 mA bei f = 1 MHz- Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen• Automatische Abschaltung bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Verfügbar im Pb-freien 32-Pin Thin Small Outline Package (TSOP) II und 32-polige SOIC-Gehäuse (Small-Outline Integrated Circuit)[1]
CY62148ELL-45ZSX – SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, 45ns, TSOP-32
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