CY62146ELL-45ZSX – SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 5 V, 45ns, TSOP-44

4-Mbit (256 K × 16) Static RAM, SRAM, 5V 256kx16 45ns TSOP32(II)BeschreibungDer CY62146E ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 256K-Wörter mit 16 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Es ist ideal für die Bereitstellung einer längeren Batterielebensdauer (MoBL®) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch um mehr als 99%, wenn es abgewählt wird (CE HIGH). Die Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH), sowohl Byte High Enable als auch Byte Low Enable deaktiviert werden (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Um auf das Gerät zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) an die auf den Adresspins (A0 bis A17) angegebene Stelle geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O8 bisI/O15) wird an die auf den Adresspins (A0 bis A17) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, erscheinen Daten aus der durch die Adresspins angegebenen Speicherstelle auf I/O0 bis I/O7. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, erscheinen Daten aus dem Speicher auf I/O8 bis I/O15. Siehe Wahrheitstabelle auf Seite 11 für eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi. Der Baustein CY62146E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Großer Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Extrem niedrige Standby-Leistung – Typischer Standby-Strom: 1 µA – Maximaler Standby-Strom: 7 µA• Ultra-niedrige Wirkleistung – Typischer Wirkstrom: 2 mA bei f = 1 MHz• Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Erhältlich im Pb-freien 44-Pin Thin Small Outline Package (TSOP) Typ II-Paket