CY62128ELL-45ZXI – SRAM, 1 Mb (128 K x 8 ), 5 V, 45ns, TSOP-32

1-Mbit (128K × 8-Bit) Statischer RAM BeschreibungDer CY62128E ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 128K-Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, reduziert sich der Stromverbrauch um mehr als 99 Prozent, wenn es abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder ein Schreibvorgang läuft (CE1 LOW und CE2 HIGH und WE LOW) Um auf den Baustein zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A16) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62128E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Weitere Einzelheiten und Alternativvorschläge finden Sie unter Elektrische Kenndaten auf Seite 5.Merkmale• Ultra-niedriger Standby-Strom• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Temperaturbereiche: Industrie: -40 °C bis +85 °C• Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Pin kompatibel mit CY62128B• Extrem niedrige Standby-Leistung – Typischer Standby-Strom: 1 A – Maximaler Standby-Strom: 4 A (Industrie)• Ultra-niedrige Wirkleistung – Typischer Wirkstrom: 1,3 mA bei f = 1 MHz• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Angeboten in standardmäßigen Pb-freien 32-poligen STSOP-, 32-poligen SOIC- und 32-poligen Thin Small Outline Packages (TSOP) Typ I-Gehäusen