CQY 99 – Infrarotdiode, GaAs, 950 nm, 22°, 5 mm, T1 3/4

Infrarot-Emittierende Diode, 950 nm, GaAsBeschreibungenSerie TSUS540. sind infrarotemittierende Dioden in Standard-GaAs-auf-GaAs-Technologie, die in einem klaren, blaugrau getönten Kunststoffgehäuse gegossen sind. Die Bauelemente sind spektral an Silizium-Fotodioden und Fototransistoren angepasst.Merkmale• Gehäusetyp: bedrahtet• Gehäuse-Form: T-1¾• Abmessungen (in mm): Ø 5• Spitzen-Wellenlänge: ?p = 950 nm• Hohe Zuverlässigkeit• Hohe Strahlungsleistung• Hohe Strahlungsintensität• Winkel der halben Intensität: ? = ± 22°• Niedrige Durchlassspannung• Geeignet für Betrieb mit hohem Pulsstrom• Gute spektrale Anpassung mit Si-PhotodetektorenAnwendungen• Infrarot-Fernbedienung und freie Luftübertragung Systeme mit niedriger Vorwärtsspannung und komfortabler Strahlungswinkelanforderungen in Kombination mit PIN-Fotodioden oder Fototransistoren.