Optokoppler, Phototransistor-Ausgang, sehr hohe IsolationsspannungProduktbeschreibung:Die Modelle CNY64, CNY65 und CNY66 bestehen aus einem Fototransistor, der optisch mit einer Galliumarsenid-Infrarot-Emitterdiode in einem 4-poligen Kunststoffgehäuse gekoppelt ist. Die einzelnen Komponenten sind gegenüberliegend montiert, so dass ein Abstand zwischen Ein- und Ausgang für höchste Sicherheitsanforderungen von > 3 mm zur Verfügung steht.Merkmale:• Wiederkehrende Bemessungs-Spitzenspannung (wiederholend) Viorm = 1450 Vpeak• Dicke durch Isolierung > 3 mm• Kriechstromfestigkeit nach VDE 0303/IEC 60112 VergleichsnachführungIndex: KTI > 200• Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG und in Übereinstimmung mit WEEE 2002/96/EGAnwendungen:Schaltkreise zur sicheren Schutztrennung gegen elektrischen Schlag gemäß Sicherheitsklasse II (verstärkte Isolierung):• für Anwendungsklasse I – IV bei Netzspannung < 300 V• für Anwendungsklasse I - IV bei Netzspannung < 600 V• für die Anwendungsklasse I - III bei Netzspannung < 1000 V nach DIN EN 60747-5-2 (VDE 0884), geeignet für:- Schaltnetzteile- Leitungsempfänger- Schnittstelle für Computer-Peripheriegeräte- Mikroprozessorsystem-SchnittstelleVDE-NORMENDiese Koppler erfüllen Sicherheitsfunktionen gemäß der folgenden Ausrüstungsstandards:• DIN EN 60747-5-2 (VDE 0884) Optokoppler für elektrische Sicherheitsanforderungen• IEC 60950/EN 60950 Büromaschinen• VDE 0804 Fernmeldeanlagen und Datenverarbeitung• IEC60065 Sicherheit für netzbetriebene elektronische und verwandte Haushaltsgeräte• VDE 0700/IEC 60335 Geräte für den Hausgebrauch• VDE 0160 Elektronische Betriebsmittel für elektrische Energieanlagen• VDE 0750/IEC60601 Medizinische AusrüstungZULASSUNGEN• UL1577, Aktenzeichen. E76222 Systemcode H, J und K• DIN EN 60747-5-2 (VDE 0884)/DIN EN 60747-5-5 (in Vorbereitung), erhältlich mit Option 1• VDE-bezogene Merkmale:- Bemessungs-Stoßspannung (transiente Überspannung), Viotm = 12 kV Spitze- Isolationsprüfspannung (Teilentladungs-Prüfspannung), Vpd = 2,8 kV Spitze
CNY 65 – Optokoppler, 1 fach, 50 – 300%, 32 Vceo, 50 mA, DIP-4 HV, 600 mi
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