Technische Daten• revolutionäres Halbleitermaterial SiC• kein Rückwärts-/kein Vorwärts-Erholverhalten• temperaturunabhängiges Schaltverhalten• extrem schnelles Schalten• optimiert für den Betrieb bei hohen Temperaturen• AEC-Q101-zertifiziertAnwendungen• Schaltnetzteile• Verstärkungsdioden für Leistungsfaktokorrektur und DC/DC-Wandler• Freilaufdioden in Umrichterstufen• Gleichrichter
C4D08120E – SMD-SiC-Schottkydiode 1200V, 12A, TO252
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