Vertikaler DMOS-Transistor im P-Kanal-AnreicherungsmodusAllgemeine BeschreibungVertikaler P-Kanal-Verstärkungsmodus-DMOS-Transistor (Diffusion Metal-Oxide Semiconductor) in einem kleinen SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device).Merkmale:• Niedrige Schwellenspannung • Direkte Schnittstelle zu CMOS und Transistor-Transistor-Logik (TTL)• Hochgeschwindigkeits-Umschaltung • Keine sekundäre AufschlüsselungAnwendungen:• Leitungsstromunterbrecher in Telefonapparaten• Relais-, Hochgeschwindigkeits- und Leitungstransformator-Treiber
BSS 84 NXP – MOSFET, P-Kanal, -50 V, -0,13 A, Rds(on) 10 Ohm, SOT-23
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