Silizium-PIN-FotodiodeWesentliche Merkmale•Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm•Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)•Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5)Anwendungen•Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb•IR-Fernsteuerungen•Industrieelektronik•„Messen/Steuern/Regeln“
BPX 61 – Silizium-PIN-Fotodiode, 400…1100 nm, 110°, TO-5
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