Silizium-PIN-FotodiodeBeschreibungenBPW41N ist eine PIN-Fotodiode mit hoher Geschwindigkeit und hoher Strahlungsempfindlichkeit in einem schwarzen, seitensichtigen Kunststoffgehäuse mit Tageslichtsperrfilter. Die Filterbandbreite ist auf 900 nm bis 950 nm IR-Emitter abgestimmt.Merkmale• Gehäusetyp: bedrahtet• Gehäuse-Form: Side-View• Abmessungen (in mm): 5 x 4 x 6,8• Strahlungsempfindlicher Bereich (in mm2): 7,5• Hohe Strahlungsempfindlichkeit• Tageslicht-Sperrfilter, abgestimmt auf 940-nm-Emitter• Schnelle Reaktionszeiten• Winkel der halben Empfindlichkeit: ? = ± 65°• Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC und in Übereinstimmung mit WEEE 2002/96/ECAnwendungen• Hochgeschwindigkeitsdetektor für Infrarotstrahlung• Infrarot-Fernbedienungs- und Freiluft-Datenübertragungssysteme, z.B. in Kombination mit IR-Strahlern der Serie TSALxxxx
BPW 41N TEL – Silizium-PIN-Fotodiode, 870…1050 nm, Side-View
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