BPW 16N – Fototransistor, NPN, 450…1040nm, 80°, THT-1,8mm

1,8-mm-Silizium-NPN-FototransistorBeschreibung:BPW16N ist ein Silizium-NPN-Fototransistor mit hoher Strahlungsempfindlichkeit in klarem, T-3/4-Plastikgehäuse mit Linse. Er ist empfindlich für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung. Auf PCB ermöglicht diese Gehäusegröße die Montage von Arrays mit einem Rastermaß von 2,54 mm.Merkmale:• Gehäusetyp: bedrahtet• Gehäuse-: T-¾• Abmessungen (in mm): Ø 1.8• Hohe Lichtempfindlichkeit• Hohe Strahlungsempfindlichkeit• Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung• Schnelle Reaktionszeiten• Winkel der halben Empfindlichkeit: = ± 40°Anwendungen:• Detektor in elektronischen Steuer- und Antriebsschaltungen