BPV 11 TEL – Fototransistor, NPN, 450…1080nm, 30°, THT-5mm

5-mm-Silizium-NPN-FototransistorBeschreibung:BPV11 ist ein Silizium-NPN-Fototransistor mit hoher Strahlungsempfindlichkeit in klarem, T-1¾-Plastikgehäuse mit Basisanschluss. Er ist empfindlich für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung.Merkmale:• Gehäusetyp: bedrahtet• Gehäuse-:T-1¾• Abmessungen (in mm):Ø 5• Hohe Lichtempfindlichkeit• Hohe Strahlungsempfindlichkeit• Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung• Schnelle Reaktionszeiten• Winkel der halben Empfindlichkeit: ? = ± 15°Anwendungen:• Detektor in elektronischen Steuer- und Antriebsschaltungen