Bipolartransistor BC856 Besondere Merkmaleideal für die automatische Bestückungfür Schalt- und AF-VerstärkeranwendungenTechnische MerkmaleKollektor-Base-Spannung: -80 VKollektor-Emitter-Spannung: -65 VEmitter-Base-Spannung: -5 VKollektorstrom: -0,1 AVerlustleistung @ Ta = 25 °C: 200 mWBetriebstemperatur: -65 – 150 °ChFE: 220 – 475
BC856B HOT – Bipolartransistor, PNP, -65V, -0,1A, 0,2W, SOT-23
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