NPN-Silizium-Planar-Epitaxie-Transistoren Gehäuse: TO-92, hfe : 420-800
BC 550C – Bipolartransistor, NPN, 45V, 0,1A, hfe : 420 – 800, 0,625W, TO-9
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Beschreibung
Zusätzliche Informationen
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NPN-Silizium-Planar-Epitaxie-Transistoren Gehäuse: TO-92, hfe : 420-800
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