AT45DB041E-SSHN – NOR-Flash-Speicher 4Mb, 1,65V, Seriell, SPI, 85MHz, SO-8

Flash-Speicher, Serial-NOR, 4 Mbit, SPI, SO-8 0.150“, 85Mhz, 2048 Seiten x 256 Byte Merkmale:• Versorgungsspannung 1,65V – 3,6V • Serielle Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel- Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3- Unterstützt den Betrieb von RapidS™• Kontinuierliche Lesefähigkeit über das gesamte Array hinweg- Bis zu 85MHz- Low-Power-Leseoption bis zu 15MHz- Clock-to-Output-Zeit (tV) von maximal 6ns• Benutzerdefinierbare Seitengröße- 256 Bytes pro Seite- 264 Bytes pro Seite (Standard)- Die Seitengröße kann werkseitig für 256 Byte vorkonfiguriert werden.• 2 unabhängige SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)- Ermöglicht den Empfang von Daten während der Neuprogrammierung der Hauptspeicheranordnung• Flexible Programmiermöglichkeiten- Byte/Seitenprogramm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher- Puffer-Schreiben- Pufferung zum Hauptspeicherseitenprogramm• Flexible Löschoptionen- Seitenlöschung (256/264 Bytes)- Block löschen (2KB)- Sektor löschen (64KB)- Chip-Löschung (4-Mbit/s)• Suspend / Resume programmieren und löschen• Erweiterte Funktionen zum Schutz von Hard- und Softwaredaten- Individueller Sektorenschutz- Individuelle Sektorsperre, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen.• 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister (One-Time Programmable)- 64 Bytes werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert- 64 Byte benutzerdefiniert programmierbar• Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen• JEDEC Standard Hersteller und Geräte-ID • Geringe Verlustleistung- 400nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch)- 3µA Deep Power-Down Strom (typisch)- 25µA Standby-Strom (typisch)- 7mA Aktiv Lesestrom (typisch)• Lebensdauer: 100.000 Programm-/Löschzyklen pro Seite • Vorratsdatenspeicherung: 20 Jahre• Entspricht den gesamten industriellen Temperaturbereich• Grüne (Pb/Halide-Free/RoHS-konform) Gehäusebauform- 8-pol-SOIC (0.150“ und 0.208“ breit)- 8-pol ultradünnes DFN (5 x 6 x 0,6 mm)