2N 7002 NXP – MOSFET, N-Kanal, 60 V, 0,3 A, Rds(on) 2,8 Ohm, SOT-23

2N7002, 60 V, 300 mA N-Kanal-Trench-MOSFETAllgemeine Beschreibung:N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) in einem Kunststoffgehäuse in Trench-MOSFET-Technologie mit Anreicherungsmodus.Merkmale und Vorteile:• Geeignet für Gate-Treiberquellen mit logischem Pegel• Sehr schnelles Schalten• Oberflächenmontiertes Gehäuse• Trench-MOSFET-TechnologieAnwendungen:• Logikpegel-Übersetzer • Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber